參數(shù)資料
型號： IRF530
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET(14A, 100V, 0.160 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/7頁
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代理商： IRF530
5
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-60 -40 -20
0
20
40
60
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
B
100 120 140 160 180
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
1500
300
0
1
10
10
2
C
900
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1200
600
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
0
5
10
15
20
2
4
6
8
10
25
175
o
C
25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50V
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.1
1
10
I
S
,
100
175
o
C
25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
0
6
12
18
24
4
8
12
16
20
30
I
D
= 14A
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
V
DS
= 20V
IRF530, RF1S530SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF540N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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