參數(shù)資料
型號(hào)： IRF520FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： IRF520FI
IRF520
IRF520FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.23
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
June 1993
TYPE
V
DSS
100 V
100 V
R
DS(on)
< 0.27
< 0.27
I
D
IRF520
IRF520FI
10 A
7 A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
IRF520
IRF520FI
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (cont.) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (cont.) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
100
100
±
20
V
V
V
A
10
7
I
D
7
5
A
A
W
I
DM
(
)
P
tot
40
70
40
35
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
0.47
0.23
2000
W/
o
C
V
o
C
o
C
V
ISO
T
stg
T
j
-65 to 175
175
1
2
3
1/9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF530FP N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
IRF530 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF620FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF620 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF630M N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF520L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF520NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF520NL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF520NLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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