參數(shù)資料
型號： IRF530FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率馬鞍山晶體管）
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： IRF530FP
IRF530FP
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.12
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTER
I
AUTOMOTIVE ENVRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMP DRIVERS, Etc)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Parameter
Value
100
100
±
20
10
7
64
35
0.23
2000
-65 to 175
175
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
C
o
C
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
V
ISO
T
stg
T
j
TYPE
V
DSS
100 V
R
DS(on)
< 0.16
I
D
IRF530FP
10 A
March 1998
1
2
3
TO-220FP
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF530 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF620FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF620 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF630M N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET
IRF630MFP N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF530H 制造商:HAR 功能描述:IRF530 HARRIS NOTES
IRF530L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF530N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF530N,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF530N_R4942 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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