參數資料
型號： IRF530
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數： 1/6頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： IRF530
IRF530
IRF530FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.12
I
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING
I
SOLENOID ANDRELAY DRIVERS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTER
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMP DRIVERS Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
March 1998
TO-220
TO-220FI
1
2
3
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
IRF530
IRF530FI
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
100
100
±
20
V
V
V
A
A
A
W
16
11
64
90
0.6
-
11
7.8
64
40
0.27
2000
W/
o
C
V
o
C
o
C
Viso
T
stg
T
j
-65 to 175
175
(
1
) I
SD
≤
11
Α,
di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
JMAX
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.16
< 0.16
I
D
IRF530
IRF530FI
100 V
100 V
16 A
11 A
1/6
相關PDF資料
PDF描述
IRF620FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強模式功率MOSFET)
IRF620 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強模式功率MOSFET)
IRF630M N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET
IRF630MFP N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET
IRF630S N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRF5305 功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5305L 功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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