參數(shù)資料
型號(hào)： IRF520
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： IRF520
IRF520
IRF520FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.23
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
June 1993
TYPE
V
DSS
100 V
100 V
R
DS(on)
< 0.27
< 0.27
I
D
IRF520
IRF520FI
10 A
7 A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
IRF520
IRF520FI
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (cont.) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (cont.) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
100
100
±
20
V
V
V
A
10
7
I
D
7
5
A
A
W
I
DM
(
)
P
tot
40
70
40
35
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
0.47
0.23
2000
W/
o
C
V
o
C
o
C
V
ISO
T
stg
T
j
-65 to 175
175
1
2
3
1/9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF520FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF530FP N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
IRF530 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF620FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
IRF620 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF520_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF520A 功能描述:MOSFET 9.2A 100V .4 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF520CHIP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP
IRF520FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF520L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
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