參數(shù)資料
型號(hào)： IKW08T120
英文描述： ?8A 1200V TO247 IGBT+Diode?
中文描述： ？8A條1200伏TO247 IGBT的二極管？
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
文件大?。?/td> 448K
代理商： IKW08T120
IKW08T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
7
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
t
S
5A
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
Figure 9. Typical switching times as a
function of collector current
(inductive load,
T
J
=150°C,
V
CE
=600V, V
GE
=0/15V,
R
G
=81
,
Dynamic test circuit in Figure E)
10A
15A
1ns
10ns
100ns
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
t
S
5
50
R
G
,
GATE RESISTOR
100
150
200
1 ns
10 ns
100 ns
t
f
t
r
t
d(off)
t
d(on)
Figure 10. Typical switching times as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
J
=150°C,
V
CE
=600V, V
GE
=0/15V,
I
C
=8A,
Dynamic test circuit in Figure E)
t
S
0°C
50°C
100°C
150°C
10ns
100ns
t
r
t
f
t
d(on)
t
d(off)
V
G
)
,
G
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
min.
typ.
max.
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 11. Typical switching times as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
=600V,
V
GE
=0/15V,
I
C
=8A,
R
G
=81
,
Dynamic test circuit in Figure E)
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Gate-emitter threshold voltage as
a function of junction temperature
(
I
C
= 0.3mA)
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