參數(shù)資料
型號： IKW08T120
英文描述： ?8A 1200V TO247 IGBT+Diode?
中文描述： ？8A條1200伏TO247 IGBT的二極管？
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大?。?/td> 448K
代理商： IKW08T120
IKW08T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
10
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
V
C
,
C
-
E
0V
200V
400V
600V
0A
10A
20A
30A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
I
C
,
C
0V
200V
400V
600V
0A
10A
20A
30A
1.5us
1us
0.5us
0us
I
C
V
CE
t
,
TIME
t
,
TIME
Figure 21. Typical turn on behavior
(V
GE
=0/15V,
R
G
=81
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 22. Typical turn off behavior
(V
GE
=15/0V,
R
G
=81
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
Z
t
,
T
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
Z
t
,
T
10μs
100μs
t
P
,
PULSE WIDTH
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
PULSE WIDTH
Figure 23. IGBT transient thermal resistance
(
D = t
p
/
T
)
Figure 24. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse
width
(
D
=
t
P
/
T
)
R
,(K/W )
0.187
0.575
0.589
0.350
R
1
τ
,
(s)
=
1.73*10
-1
2.75*10
-2
2.57*10
-3
2.71*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.552
0.732
0.671
0.344
R
1
τ
,
(s)
=
7.23*10
-2
8.13*10
-3
1.09*10
-3
1.55*10
-4
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
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PDF描述
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IKW15N120H3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
IKW15N120H3XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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