參數(shù)資料
型號： IGW60T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
中文描述： 在戴低損失和場終止IGBT技術(shù)
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 416K
代理商： IGW60T120
IGW60T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
8
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
V
G
,
G
-
E
0nC
100nC
Q
GE
,
GATE CHARGE
200nC
300nC
0V
5V
10V
15V
960V
240V
c
C
0V
10V
20V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a function
of collector-emitter voltage
(
V
GE
=0V,
f
= 1 MHz)
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
=60 A)
t
S
,
S
12V
14V
0μs
5μs
10μs
15μs
I
C
,
C
12V
14V
16V
18V
0A
100A
200A
300A
400A
V
GE
,
GATE
-
EMITTETR VOLTAGE
Figure 19. Short circuit withstand time as a
function of gate-emitter voltage
(
V
CE
=600V
,
start at
T
J
=
25°C
)
V
GE
,
GATE
-
EMITTETR VOLTAGE
Figure 20. Typical short circuit collector
current as a function of gate-
emitter voltage
(
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150
°
C)
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