參數(shù)資料
型號： IGW60T120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
中文描述： 在戴低損失和場終止IGBT技術(shù)
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 416K
代理商： IGW60T120
IGW60T120
^
TrenchStop Series
Power Semiconductors
2
Preliminary / Rev. 1 Jul-02
Thermal Resistance
Parameter
Symbol
Conditions
Max. Value
Unit
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction – case
Thermal resistance,
junction – ambient
R
thJC
0.33
R
thJA
TO-247AC
40
K/W
Electrical Characteristic,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Static Characteristic
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter saturation voltage
V
(BR)CES
V
CE(sat)
V
GE
=0V,
I
C
=3.0mA
V
GE
= 15V,
I
C
=60A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=150
°
C
I
C
=2.0mA,
V
CE
=
V
GE
V
CE
=1200V
,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
1200
-
-
-
-
-
1.9
2.1
2.3
2.4
-
-
Gate-emitter threshold voltage
Zero gate voltage collector current
V
GE(th)
I
CES
5.0
5.8
6.5
V
-
-
-
-
-
-
-
0.6
6.0
600
-
mA
Gate-emitter leakage current
Transconductance
Integrated gate resistor
I
GES
g
fs
R
Gint
V
CE
=0V,
V
GE
=20V
V
CE
=20V,
I
C
=60A
nA
S
30
4
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