參數(shù)資料
型號： IGW03N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： IGW03N120H2
IGP03N120H2,
IGW03N120H2
IGB03N120H2
Power Semiconductors
5
Rev. 2, Mar-04
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12V
10V
8V
6V
V
GE
=15V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
1A
2A
3A
4A
5A
6A
7A
8A
9A
10A
12V
10V
8V
6V
V
GE
=15V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
3V
5V
7V
9V
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
T
j
=+150°C
T
j
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
I
C
=6A
I
C
=3A
I
C
=1.5A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 20V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
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