參數(shù)資料
型號(hào)： IGP06N60T
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
中文描述： 低損耗DuoPack：在TrenchStop和場(chǎng)終止IGBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
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代理商： IGP06N60T
IGP06N60T
TrenchStop Series
q
Power Semiconductors
8
Rev. 2.1 June 06
V
G
,
G
-
E
0nC
10nC
20nC
30nC
40nC
50nC
0V
5V
10V
15V
480V
120V
c
C
0V
10V
20V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
GATE CHARGE
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a function
of collector-emitter voltage
(
V
GE
=0V,
f
= 1 MHz)
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
= 6 A)
I
C
,
C
12V
14V
16V
18V
0A
20A
40A
60A
80A
t
S
,
S
10V
11V
12V
13V
14V
0μs
2μs
4μs
6μs
8μs
10μs
12μs
V
GE
,
GATE
-
EMITTETR VOLTAGE
Figure 19. Typical short circuit collector
current as a function of gate-
emitter voltage
(
V
CE
≤
400V,
T
j
≤
150
°
C)
V
GE
,
GATE
-
EMITETR VOLTAGE
Figure 20. Short circuit withstand time as a
function of gate-emitter voltage
(
V
CE
=600V
,
start at
T
J
=
25°C,
T
Jmax
<150°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IGP10N60T Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGP15N60T Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGP30N60T LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FILEDSTOP TECHNOLOGY
IGW08T120 Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120 Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
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參數(shù)描述
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IGP15N60T 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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