參數(shù)資料
型號(hào)： IGB30N60T
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
中文描述： 低TrenchStop損失和場(chǎng)終止IGBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 358K
代理商： IGB30N60T
TrenchStop Series
IGB30N60T
q
Power Semiconductors
11
Rev. 2.1 June 06
Figure A. Definition of switching times
Figure B. Definition of switching losses
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
di
/dt
r r
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure E. Dynamic test circuit
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