參數(shù)資料
型號(hào)： IGA03N120H2
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大小： 201K
代理商： IGA03N120H2
IGA03N120H2
Power Semiconductors
1
Mar-04, Rev. 2.0
HighSpeed 2-Technology
Designed for:
- TV – Horizontal Line Deflection
2
nd
generation HighSpeed-Technology
for 1200V applications offers:
- loss reduction in resonant circuits
- temperature stable behavior
- parallel switching capability
- tight parameter distribution
-
E
off
optimized for
I
C
=3A
- simple Gate-Control
Complete product spectrum and PSpice Models :
http://www.infineon.com/igbt/
Type
V
CE
I
C
E
off
P-TO220-3-31
(FullPAK)
P-TO220-3-34
(FullPAK)
T
j,max
Marking
Package
Ordering Code
IGA03N120H2
1200V
3A
0.15mJ
150
°
C
G03H1202
P-TO-220-3-31
Q67040-S4648
IGA03N120H2
1200V
3A
0.15mJ
150
°
C
G03H1202
P-TO-220-3-34
Q67040-S4654
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter voltage
Triangular collector peak current (
V
GS
= 15V)
T
C
= 100
°
C,
f
= 32kHz
Pulsed collector current,
t
p
limited by
T
jmax
Turn off safe operating area
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150
°
C
Gate-emitter voltage
V
CE
I
Cpk
1200
8.2
V
A
I
Cpuls
-
9
9
V
GE
P
tot
±
20
29
V
Power dissipation
T
C
= 25
°
C
Operating junction and storage temperature
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
W
T
j
,
T
stg
-
-40...+150
260
°
C
G
C
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IGB03N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGP03N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGW03N120H2 HighSpeed 2-Technology
IGB30N60T Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGP06N60T Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IGA03N120H2XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 3A 29W TO220-3
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IGA30N60H3 功能描述:IGBT 晶體管 HI SPEED SWITCHING 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IGA30N60H3XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 18A 43.0W TO220-3
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