IDTTM/ICSTM DDR and SDRAM Buffer I" />
參數(shù)資料
型號: ICS93718CFLFT
廠商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC CLK BUFF 2:12 200MHZ 48-SSOP
產(chǎn)品變化通告: Product Discontinuation 4/Aug/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,000
類型: 扇出緩沖器(分配)
電路數(shù): 1
比率 - 輸入:輸出: 2:12
差分 - 輸入:輸出: 無/是
輸入: 時(shí)鐘
輸出: 時(shí)鐘
頻率 - 最大: 200MHz
電源電壓: 2.3 V ~ 3.6 V
工作溫度: 0°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 48-BSSOP(0.295",7.50mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 48-SSOP
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: 93718CFLFT
IDTTM/ICSTM DDR and SDRAM Buffer
ICS93718
REV E 02/11/07
ICS93718
DDR and SDRAM Buffer
SEL_DDR = 1 DDR/DDR_SDRAM Outputs VDD=2.5, TA = 0 - 85°C; (unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input High Current
IIH
VI = VDD or GND
110
A
Input Low Current
IIL
VI
= V
DD or GND
-100
-25
A
IDD2.5
CL = 0pf, 133MHz
76
200
mA
IDDPD
CL = 0pf, all
310
mA
Output High Current
IOH
VDD = 2.5V
, V
OUT = 1V
-74.5
-18
mA
Output Low Current
IOL
VDD = 2.5V
, V
OUT =
26
42.5
mA
VDD = 2.5V,
VOH = -12mA
VDD = 2.5V
IOH = 12mA
Output differential-pair crossing
voltage
VOC
(VDD/2) –0.1
1.25
(VDD/2) +0.1
V
Input Capacitance
1
CIN
VI = GND or VDD
2pF
1Guaranteed by design, not 100% tested in production.
V
Low-level output voltage
VOL
0.46
2.3
0.35
Operating Supply Current
High-level output voltage
VOH
1.7
SEL_DDR=1 DDR/DDR_SDRAM Outputs = 2.5V, TA = 0 - 85°C (unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VDD3.3_2.5
2.3
2.5
2.7
VDD2.5
2.3
2.5
2.7
Input High Voltage
VIH
SEL_DDR, PD# input
2.0
V
Input Low Voltage
VIL
SEL_DDR, PD# input
0.8
V
Input voltage level
VIN
VDD
V
1Guaranteed by design, not 100% tested in production.
V
Power Supply Voltage
Electrical Characteristics - Input/Supply/Common Output Parameters
Recommended Operating Condition
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