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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | HYB5117805BSJ-60 |
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Semiconductor Group
4
HYB5117805BSJ-50/-60/-70
2M x 8-EDO DRAM
Block Diagram
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(10)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (11)
Address
Buffers(11)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
2048x1024x8
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
WE
CAS
2048
1024
x8
.
RAS
10
11
8
I/O1
I
/O2
OE
11
11
8
8
10
I
/O8
Voltage Down
Generator
VCC
VCC (internal)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5118160BSJ-50 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118160BSJ-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118160BSJ-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118165BJ-60 | RES 10.0-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| HYB5118165BSJ-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5118160BSJ50 | 制造商:SIEMENS 功能描述:* |
| HYB5118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118160BSJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
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