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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件頁數(shù)： | 17/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | HYB5117805BSJ-60 |
Semiconductor Group
17
HYB5117805BSJ-50/-60/-70
2M x 8-EDO DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Late Write and Read-Modify Write Cycle
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WL17
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB5118160BSJ-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118160BSJ-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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| HYB5118165BSJ-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYB5118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
| HYB5118160BSJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| HYB5118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM |
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