參數(shù)資料
型號(hào)： HYB5117405BT-70
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88%
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24
文件頁(yè)數(shù)： 5/28頁(yè)
文件大?。?/td> 323K
代理商： HYB5117405BT-70
Semiconductor Group
5
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
Block Diagram for HYB 5117405
No. 2 Clock
Generator
Column
Address
Buffer(11)
Refresh
Controller
Refresh
Counter (11)
Address
Buffers(11)
Row
No. 1 Clock
Generator
&
Data in
Buffer
Data out
Buffer
Column
Decoder
Sense Amplifier
I/O Gating
Memory Array
2048x2048x4
Row
Decoder
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
WE
CAS
2048
2048
x4
.
RAS
11
11
11
4
4
4
I/O1 I/O2 I/O3 I/O4
OE
11
11
Voltage Down
Generator
VCC
VCC (internal)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB5117405BJ-60 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB5117405BJ-70 BACKSHELL DB50 GREY PLASTIC
HYB5116405BJ-50 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB5116405BJ-50- 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB5116405BJ-60 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
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參數(shù)描述
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