- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370793 > HYB5117405BT-70 (SIEMENS A G) POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88% PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB5117405BT-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88% |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 文件頁數(shù)： | 14/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 323K |
| 代理商： | HYB5117405BT-70 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁當(dāng)前第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
Semiconductor Group
14
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
Write Cycle (OE Controlled Write)
Valid Data
t
RWL
t
WP
t
OEH
t
ODD
t
CWL
t
DZO
t
OEA
t
CLZ
t
DS
t
OEZ
t
DH
t
RC
VIH
VIL
Row
t
DZC
“H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
Column
Row
t
ASC
t
RAD
t
RAL
t
CAH
t
RAH
RAS
CAS
Address
WE
OE
I/O
(Inputs)
I/O
(Outputs)
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
t
RCD
.
t
RAS
t
CSH
t
CAS
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
ASR
t
ASR
WL3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB5117405BJ-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5117405BJ-70 | BACKSHELL DB50 GREY PLASTIC |
| HYB5116405BJ-50 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116405BJ-50- | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116405BJ-60 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5117800AJ-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5117800AJ-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5117800AJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5117800AJ-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Fast Page Mode DRAM |
| HYB5117800BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。