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參數(shù)資料
| 型號： | HYB5117405BT-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88% |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| 文件頁數(shù)： | 15/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 323K |
| 代理商： | HYB5117405BT-70 |
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Semiconductor Group
15
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
Row
Row
t
CSH
t
CAS
t
CRP
t
RWC
t
AWD
t
ASR
t
RP
t
RAS
t
RAH
t
CAH
I/O
(Outputs)
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
I/O
(Inputs)
OE
WE
VIH
VIL
t
ASR
Column
t
RCD
t
DH
t
RSH
t
RAD
t
CWD
t
OEH
t
RWD
t
RWL
t
WP
t
CWL
t
CLZ
t
RCS
t
AA
t
OEA
t
DS
t
DZC
t
DZO
t
ODD
t
CAC
t
OEZ
Valid
Data in
Data
Out
t
RAC
“H” or “L”
t
ASC
VIH
VIL
VIH
VIL
RAS
CAS
Address
VIH
VIL
WL4
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PDF描述 |
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