參數(shù)資料
型號： HYB5117405BT-70
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： POWERLINE: RP12-S_DA - 2:1 Wide Input Voltage Range- 12 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Over Current Protection- Five-Sided Continuous Shield- Standard DIP24 and SMD-Pinning- Efficiency to 88%
中文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO24
文件頁數(shù)： 17/28頁
文件大小： 323K
代理商： HYB5117405BT-70
Semiconductor Group
17
HYB5116(7)405BJ/BT-50/-60/-70
4M x 4-EDO DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CWL
t
WCS
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WP
t
WCH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
Column 1
Column 2
Row
Addr
Data In N
Data In 2
Data In 1
Column N
RAS
I/O (Input)
WE
Address
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
CWL
t
WCS
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WP
t
WCH
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CWL
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WCS
t
WP
t
WCH
t
RWL
t
DH
t
DS
t
HPC
t
CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
WL8
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PDF描述
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