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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB39S13620TQ- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| 中文描述： | 特別模式寄存器雙色登記突發(fā)讀單寫操作 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 64/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 563K |
| 代理商： | HYB39S13620TQ- |
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HYB 39S16320TQ-6/-7/-8
Semiconductor Group
64
1998-10-01
19. Random Row Write (Interleaving Banks) with Precharge
19.1. CAS Latency = 2
DBx4
DAx1
BA
A8/AP
Addr.
DQ
DQMx
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Write
Command
Bank A
DAx0
RAx
RAx
RCD
t
CAx
Command
Bank A
Command
Bank B
Command
Bank B
DAx4
DAx2
DAx3
Activate
DAx5
DAx6
RBx
RBx
Command
Bank A
Precharge
Write
DBx0
DAx7
DBx1
Activate
DBx2
DBx3
WR
CBx
t
RP
t
RAy
RAy
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
T0
High
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank A
SPT03733
Command
Bank B
Precharge
DBx7
DBx5
DBx6
Write
DAy0
DAy1
CAy
WR
t
DAy4
DAy3
DAy2
T19
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S16320TQ-10 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| HYB39S16400-1 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16400CT-8 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16800CT-8 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16400BT-10 | JOYSTICK, POTENTIOMETER, 3 AXIS; Angle:20(degree); Centres, fixing:32.2mm; Depth, external:41.5mm; Diameter, panel cut-out:39mm; Length / Height, external:73mm; Material:ABS; Operations, mechanical No. of:1000000; Power, DC:0.125W; RoHS Compliant: Yes |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S16160AT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160AT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
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| HYB39S16160BT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160CT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
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