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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S13620TQ- |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| 中文描述： | 特別模式寄存器雙色登記突發(fā)讀單寫操作 |
| 文件頁數(shù)： | 60/70頁 |
| 文件大小： | 563K |
| 代理商： | HYB39S13620TQ- |
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HYB 39S16320TQ-6/-7/-8
Semiconductor Group
60
1998-10-01
17. Random Column Write (Page within same Bank)
17.1. CAS Latency = 2
CBx
DBx0
Bank B
Command
Write
Addr.
DQMx
DQ
A8/AP
BA
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
Hi-Z
Write
DBw2
DBw1
DBw0
DBw3
RBz
RBz
CBz
Command
Bank B
Activate
DBy2
Write
Command
Bank B
DBy0
DBx1
DBy1
Precharge
Command
Bank B
DBy3
CBy
RBz
RBz
DBz3
Write
Command
Bank B
DBz0
DBz1
DBz2
SPT03731
CBz
CAS
RAS
CKE
CLK
WE
CS
T2
CK2
t
T0
T1
T3
T4
T5
T6
T15
T7
T8
T9
T10
T13
T12
T11
T14
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T17
T16
T18
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S16320TQ-10 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| HYB39S16400-1 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16400CT-8 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16800CT-8 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16400BT-10 | JOYSTICK, POTENTIOMETER, 3 AXIS; Angle:20(degree); Centres, fixing:32.2mm; Depth, external:41.5mm; Diameter, panel cut-out:39mm; Length / Height, external:73mm; Material:ABS; Operations, mechanical No. of:1000000; Power, DC:0.125W; RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S16160AT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160AT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160BT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160BT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S16160CT-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
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