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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3116160BSJ |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | RES 10K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器經(jīng)銷(xiāo)商 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | HYB3116160BSJ |
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Semiconductor Group
10
HYB3116(8)160BSJ/BST(L)-50/-60/-70
3.3V 1M x 16-DRAM
CAS precharge to RAS Delay
t
RHPC
30
–
35
–
40
–
ns
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Fast page mode read-write cycle
time
t
PRWC
71
–
80
–
95
–
ns
CAS precharge to WE
t
CPWD
48
–
55
–
65
–
ns
CAS-before-RAS Refresh Cycle
CAS setup time
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WRP
10
–
10
–
10
–
ns
CAS hold time
10
–
10
–
10
–
ns
RAS to CAS precharge time
5
–
5
–
5
–
ns
Write to RAS precharge time
10
–
10
–
10
–
ns
Write hold time referenced to RAS
t
WRH
10
–
10
–
10
–
ns
CAS-before-RAS Counter Test Cycle
CAS precharge time
t
CPT
35
–
40
–
40
–
ns
Self Refresh Cycle
RAS pulse width
t
RASS
t
RPS
t
CHS
100k
_
100k
_
100k
_
ns
17
RAS precharge time
95
_
110
_
130
_
ns
17
CAS hold time
-50
_
-50
_
-50
_
ns
17
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
16F
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
-70
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116160BST-50 | RES 10K-OHM 5% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
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| HYB3116160BSJ-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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參數(shù)描述 |
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