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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25R128160C-840 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 42/76頁 |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25R128160C-840 |
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HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Page 42 of 76
2002-05-06
Write to Precharge: Nominal DQSS (2 bit Write), Interrupting (Burst Length = 4 or 8)
DI a-b = Data In for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 2 data elements are written.
1 subsequent element of data in is applied in the programmed order following DI a-b.
t
W
R
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Precharge command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the
W
rite command (Auto Precharge is disabled).
1 = Can be don
'
t care for programmed burst length of 4.
2 = For programmed burst length of 4, DQS becomes don
'
t care at this point.
3 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
N
OP
N
OP
N
OP
PR
E
W
rite
N
OP
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
RP
t
DQSS
(nom)
DI a-b
1
2
DQS
DQ
DM
1
t
W
R
3
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R128160C-845 | RAMBUS DRAM |
| HYB25R144180C-840 | RAMBUS DRAM |
| HYB25R288180C-653 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
| HYB25R288180C-745 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
| HYB25R288180C-840 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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