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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25R128160C-840 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/76頁 |
| 文件大?。?/td> | 1218K |
| 代理商： | HYB25R128160C-840 |
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2002-05-06
Page 37 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Write to Read: Minimum DQSS, Odd Number of Data (3 bit Write), Interrupting (CAS
Latency = 2; Burst Length = 8)
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 3 data elements are written.
2 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
t
W
TR
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair (not the last desired data in element)
The Read command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the
W
rite command (Auto Precharge is disabled).
The Read and
W
rite commands are not necessarily to the same bank.
1 = This bit is correctly written into the memory array if DM is low.
2 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
N
OP
N
OP
N
OP
Read
W
rite
N
OP
CK
CK
Command
Address
BAa, COL b
BAa, COL n
t
W
TR
DI a-b
DQS
DQ
CL = 2
t
DQSS
(min)
DM
1
2
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HYB25R144180C-840 | RAMBUS DRAM |
| HYB25R288180C-653 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
| HYB25R288180C-745 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
| HYB25R288180C-840 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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