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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25R128160C-840 |
| 英文描述： | RAMBUS DRAM |
| 中文描述： | Rambus的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/76頁 |
| 文件大?。?/td> | 1218K |
| 代理商： | HYB25R128160C-840 |
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HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Page 22 of 76
2002-05-06
Consecutive Read Bursts: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)
CAS Latency = 2
N
OP
Read
N
OP
N
OP
N
OP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
CL=2
BAa, COL n
BAa, COL b
Don’t Care
DO a-n (or a-b) = data out from bank a, column n (or bank a, column b).
W
hen burst length = 4, the bursts are concatenated.
W
hen burst length = 8, the second burst interrupts the first.
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n.
3 (or 7) subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-b.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
CAS Latency = 2.5
N
OP
Read
N
OP
N
OP
N
OP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
CL=2.5
BAa, COL n
BAa,COL b
DOa-n
DOa- n
DOa- b
DOa-b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R128160C-845 | RAMBUS DRAM |
| HYB25R144180C-840 | RAMBUS DRAM |
| HYB25R288180C-653 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
| HYB25R288180C-745 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
| HYB25R288180C-840 | DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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