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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25L128160AC |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| 中文描述： | 128 - Mbit同步低功率DRAM在CHIPSIZE套票 |
| 文件頁數(shù)： | 28/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 980K |
| 代理商： | HYB25L128160AC |
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HYB/E 25L128160AC
128-MBit Mobile-RAM
INFINEON Technologies
28
2003-02
$&3DUDPHWHUV
$&3DUDPHWHUVIRUD:ULWH7LPLQJ
Auto Precharge
Command
Bank B
Write with
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank A
Command
Bank A
Addr.
AP
DQM
DQ
BS
Hi-Z
RCD
t
Ax2
Ax1
Ax0
Ax3
RC
t
RAx
t
AS
t
AH
RBx
CAx
Command
Bank A
SPT03910_2
Bx1
Bx0
CBx
T8
Precharge
Bank A
Begin Auto
CLK
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CK2
t
CS
t
CH
CKS
t
CH
t
t
CL
t
T3
T0
T2
T1
T4
T5
T7
T6
T18
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T13
T9
T10
T12
T11
T14 T15
T17
T16
T19 T20
T22
T21
RBx
RAx
Activate
Write
Command
Bank A
DS
t
t
DH
RAy
Bank B
Precharge
Begin Auto
RBy
Activate
Command
Precharge
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Bank B
t
WR
t
CKH
RAz
RAz
RBy
RAy
RAy
Bx2 Bx3
t
WR
RP
t
Ay2
Ay1
Ay0
Ay3
RP
t
RRD
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25L128160AC-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYE25L128160AC-8 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.052/.068/.100/.21 |
| HYE25L128160AC-7.5 | HEX DIE SET,.052/.068/.178/.25 |
| HYE25L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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