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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512400AR-7 |
| 英文描述： | ?512Mb (stacked 256Mb) ? |
| 中文描述： | ？的512Mb（堆疊256Mb的）？ |
| 文件頁數(shù)： | 43/76頁 |
| 文件大小： | 1218K |
| 代理商： | HYB25D512400AR-7 |
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2002-05-06
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HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Precharge
The Precharge command is used to deactivate the open row in a particular bank or the open row in all banks.
The bank(s) will be available for a subsequent row access some specified time (t
RP
) after the Precharge com-
mand is issued. Input A10 determines whether one or all banks are to be precharged, and in the case where
only one bank is to be precharged, inputs BA0, BA1 select the bank.
W
hen all banks are to be precharged,
inputs BA0, BA1 are treated as “Don’t Care.” Once a bank has been precharged, it is in the idle state and
must be activated prior to any Read or
W
rite commands being issued to that bank.
Precharge Command
BA
H
I
GH
BA = bank address
(if A10 is Low, otherwise Don’t Care).
CK
CK
CK
E
CS
RAS
CAS
WE
A10
BA0, BA1
Don’t Care
All Banks
One Bank
A0-A
9
, A11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB25D512400AT-8 | ?512Mb (128Mx4) DDR200 (2-2-2) ? |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512400BR-7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:128M X 4 DDR DRAM MODULE, P66 Pin Plastic SMT |
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| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
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