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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T512800AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | DDR2 Registered Memory Modules |
| 中文描述： | 注冊的DDR2內(nèi)存模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 9/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | HYB18T512800AF |
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HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
9
Rev. 0.85, 2004-04
Block Diagrams (cont’d)
2.2 128M x 72 (1GByte) two rank DDR2 SDRAM DIMM Modules (x8 components)
HYS72T128020[G/H] on Raw Card B
CKE0
CKE1
RCKE0 -> CKE :SDRAMs D0-D8
RCKE1 -> CKE :SDRAMs D9-D17
DQ36
DQ37
DQ38
DQ32
DQ33
DQ34
D4
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 7
DM4/DQS13
DQS4
DQS4
DQ44
DQ46
DQ47
DQ40
DQ42
DQ43
D5
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM5/DQS14
DQS5
DQS5
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ50
DQ51
D6
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM6/DQS15
DQS6
DQS6
DQ60
DQ61
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
D7
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM7/DQS16
DQS7
DQS7
DQS16
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
DM1/DQS10
DQS1
DQS1
CB4
CB5
CB6
CB7
CB0
CB2
CB3
DQ20
DQ21
DQ22
DQ16
DQ17
DQ18
DQ12
DQ13
DQ14
DQ8
DQ9
DQ10
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
D1
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D2
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 6
I/O 7
D3
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 7
D8
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 6
I/O 7
RS0
DQS0
DQS0
DM2/DQS11
DQS2
DQS0
DM3/DQS12
DQS3
DQS3
DM0/DQS17
DQS8
DQS8
DQS17
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ4
DM0/DQS9
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D0
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D9
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D10
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 6
I/O 7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D11
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D12
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D17
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D13
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D14
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D15
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
D16
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
RS1
DQ-to-I/O wiring may be changed within a byte
DQ/DQS/DQS, adress and control resistors are 22 Ohms
BA0-BA1
A0 -A13
RAS
CAS
WE
CS1 *
1:2
A0
Serial PD
A1
A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
WP
VDD,
VREF
VSS
D0 - D17
VDDQ
VDDSPD
Serial PD
D0 - D17
D0 - D17
R
E
G
I
S
T
E
R
RBA0 -RBA1 -> BA0-BA1 : SDRAMs D0-D17
RA0 -RA13-> A0 -A13: SDRAMs
RRAS -> RAS : SDRAMs
RCAS -> C AS: SDRAMs
RWE -> WE: SDRAMs
RS1 -> C S : SDRAMs D9-D17
CS0 *
RS0 -> C S : SDRAMs D0-D8
D0-D17
D0-D17
D0-D17
D0-D17
PCK7
PCK7
RST
RESET
ODT0
ODT1
RODT0 -> ODT : SDRAMs D0-D8
RODT1 -> ODT :SDRAMsD9-D17
*) CS0 connects to CRS, CS1 connects to CSR on a Register. CS1 connects to DCS and CS0 connects to CSR on another Register.
RESET, PCK7 and PCK7 connect to bother Registers. Other signals connect to one of two Registers.
CK0
CK 0
P
L
L
PCK0-PCK6,
PCK8,PCK9
CK : SDRAMs D0-D17
CK : SDRAMs D0-D17
RESET
OE
PCK7 -> CK
PCK7
:
Register
> CK : Register
PCK0-PCK6,
PCK8,PCK9
DQS9
DQS10
DQS11
DQS12
DQS15
DQS14
DQS13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-37 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB18T512800AF-5 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB25D128160CE-5 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400CE-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800CE-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| HYB25D128160AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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