參數(shù)資料
型號: HYB18T512800AF
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: DDR2 Registered Memory Modules
中文描述: 注冊的DDR2內(nèi)存模塊
文件頁數(shù): 26/33頁
文件大?。?/td> 585K
代理商: HYB18T512800AF
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
26
Rev. 0.85, 2004-04
92
93
Test Program Revision Code
Module Manufacturing Date
Year
Module Manufacturing Date
Week
Module Serial Number (1)
Module Serial Number (2)
Module Serial Number (3)
Module Serial Number (4)
Not used
xx
xx
xx
xx
xx
xx
xx
xx
xx
xx
94
xx
xx
xx
xx
xx
95
96
97
98
99 -
127
xx
xx
xx
xx
00
xx
xx
xx
xx
00
xx
xx
xx
xx
00
xx
xx
xx
xx
00
xx
xx
xx
xx
00
Product Type
H
2 GByte
×
72
2 Ranks (
×
4) 2 Ranks (
×
4) 1 Rank (
×
4) 2 Ranks (
×
8) 1 Rank (
×
8)
PC2–3200R–333
Rev. 1.1
Rev. 1.1
Rev. 1.1
HEX
HEX
HEX
H
H
2 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
512 MB
×
72
H
Organization
Label Code
Jedec SPD Revision
Byte# Description
Rev. 1.1
HEX
Rev. 1.1
HEX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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HYB25D128800CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM