參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： DDR2 Registered Memory Modules
中文描述： 注冊的DDR2內(nèi)存模塊
文件頁數(shù)： 8/33頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： HYB18T512800AF
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
8
Rev. 0.85, 2004-04
2.0 Block Diagrams
2.1 One Rank 64M x 72 (512 MByte) DDR2 SDRAM DIMM Module (x8 components)
HYS72T64000[G/H] on Raw Card A
DM1/DQS10
DQS1
DQS1
CK0
CK 0
P
L
L
PCK0-PCK6,PCK8,PCK9
PCK0-PCK6,PCK8,PCK9
CK : SDRAMs D0-D8
CK : SDRAMs D0-D8
RESET
OE
PCK7
-> CK : Register
PCK7
> CK : Register
BA0-BA1
A0 -A13
RAS
CAS
WE
RBA0 -RBA1 -> BA0-BA1 : SDRAMs D0-D8
RA0 -RA13-> A0 -A13: SDRAMs D0-D8
RRAS -> RAS : SDRAMs D0- D8
RCAS -> C AS: SDRAMs D0-D8
RWE -> WE: SDRAMs D0-D8
CS0 *
RS0 -> C S : SDRAMs D0-D8
CKE0
ODT0
RESET
RCKE0 -> CKE : SDRA
RODT0 -> ODT 0: SDRAMs D0-D8
D0-D8
1:1
R
E
G
I
S
T
E
R
PCK7
PCK7
CB4
CB5
CB6
CB7
CB0
CB1
CB2
CB3
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ12
DQ28
DQ30
DQ31
DQ24
DQ26
DQ27
RST
D1
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D2
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 7
D3
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
D8
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
RS0
DQS0
DQS0
DM2/DQS11
DQS2
DQS0
DM3/DQS12
DQS3
DQS3
DM8/DQS17
DQS8
DQS8
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
D0
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM0/DQS9
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
D4
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM4/DQS13
DQS4
DQS4
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DQ42
DQ43
D5
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM5/DQS14
DQS5
DQS5
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ50
DQ51
D6
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM6/DQS15
DQS6
DQS6
DQ60
DQ61
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
D7
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM7/DQS16
DQS7
DQS7
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
CS DQS
DQS
DM/
RDQS
NU/
RDQS
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring may be changed within a byte
2. Unless otherwise noted, resistor values are 22 Ohms
A0
Serial PD
A1
A2
SA0 SA1 SA2
SCL
SDA
WP
VDD,
VREF
VSS
D0 - D8
D0 - D8
VDDQ
D0 - D8
VDDSPD
Serial PD
DQS9
DQS10
DQS11
DQS12
DQS17
DQS16
DQS15
DQS14
DQS13
*) CS0 connects to DCS and VDD connects to CSR on the Registers
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PDF描述
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
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HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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HYB25D128800CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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