參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： DDR2 Registered Memory Modules
中文描述： 注冊的DDR2內(nèi)存模塊
文件頁數(shù)： 20/33頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： HYB18T512800AF
HYS72T[256/128/64][0/2][0/2]0[G/H]R-[5/3.7]-A
Registered DDR2 SDRAM Modules
Data Sheet
Preliminary
20
Rev. 0.85, 2004-04
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
t
RCD.min
[ns]
t
RAS.min
[ns]
Module Density per Rank
t
AS.min
and
t
CS.min
[ns]
t
AH.min
and
t
CH.min
[ns]
t
DS.min
[ns]
t
DH.min
[ns]
t
WR.min
[ns]
t
WTR.min
[ns]
t
RTP.min
[ns]
Analysis Characteristics
t
RC
and
t
RFC
Extension
t
RC.min
[ns]
t
RFC.min
[ns]
t
CK.max
[ns]
t
DQSQ.max
[ns]
t
QHS.max
[ns]
PLL Relock Time
T
CASE.max
Delta /
T
4R4W
Delta
Psi(T-A) DRAM
T
0
T
2N
(UDIMM) or
T
2Q
(RDIMM)
T
2P
T
3N
T
3P.fast
T
3P.slow
T
4R
/
T
4R4W
Sign
T
5B
T
7
Psi(ca) PLL
Psi(ca) REG
T
PLL
3C
2D
01
25
37
10
22
3C
1E
1E
00
00
3C
69
80
1E
28
0F
51
78
3E
22
1E
1E
24
17
34
1E
20
C4
8C
61
3C
2D
01
25
37
10
22
3C
1E
1E
00
00
3C
69
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1E
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1E
1E
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C4
8C
61
3C
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3C
1E
1E
00
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3C
69
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1E
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1E
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24
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C4
8C
61
3C
2D
80
25
37
10
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3C
1E
1E
00
00
3C
69
80
1E
28
0F
51
78
3E
22
1E
1E
24
17
34
1E
20
C4
8C
61
Product Type
H
2 GByte
×
72
2 Ranks (
×
4) 1 Rank (
×
4) 2 Ranks (
×
8) 1 Rank (
×
8)
PC2–4300R–444
Rev. 1.1
Rev. 1.1
HEX
HEX
H
H
1 GByte
×
72
H
H
1 GByte
×
72
H
H
512 MB
×
72
H
Organization
Label Code
Jedec SPD Revision
Byte# Description
Rev. 1.1
HEX
Rev. 1.1
HEX
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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