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參數(shù)資料
| 型號： | HY64UD16322A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| 中文描述： | 200萬× 16位低功耗1T/1C偽靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | HY64UD16322A |
HY64UD16322A Series
11
Revision 1.1
May. 2003
MARKING INFORMATION
Index
HYUD16322A
HY
U
D
16
32
2
A
: Part Name
: HYNIX
: Power Supply
: Tech. + Classification
: Bit Organization
: Density
: Mode
: Version
: Vdd=2.7V~3.3V
/
Vddq=2.7V~3.3V
: 1T+1C
: x16
: 32M
: 1CS with /UB,/LB;tCS
: 2nd Generation
c
ss
: Power Consumption
: Speed
: D – Low Low Power
: 70 – 70ns
t
: Temperature
: E – Extended(-25 ~ 85
°
C)
I – Industrial(-40 ~ 85
°
C)
yy
ww
p
: Year (ex : 02 = year 2002, 03= year 2003)
: Work Week ( ex : 12 = work week 12 )
: Process Code : B
xxxxx
: Lot No.
KOR
: Origin Country
Note
- Capital Letter
- Small Letter
: Fixed Item
: Non-fixed Item
Package
Marking Example
FBGA
H
Y
U
D
1
6
3
2
2
A
c
s
s
t
y
y
w
w
p
x
x
x
x
x
K
O
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY64UD16322A-DF70E | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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| HY64UD16322A-E | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-I | 2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY86-12 | 90 Degree Hybrid 0.82-0.90 GHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HY64UD16322A-DF70E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-DF70I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322A-I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
| HY64UD16322M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM |
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