參數(shù)資料
型號(hào)： HY57W2A1620HCST-B
英文描述： x16 SDRAM
中文描述： x16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 18/24頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： HY57W2A1620HCST-B
HY5W2A6C(L/S)F / HY57W2A1620HC(L/S)T
HY5W26CF / HY57W281620HCT
Rev. 1.2 / Nov. 01
19
DC CHARACTERISTICS III - Normal
(I
DD6
)
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=1.8V & 2.5V, V
SS
=0V)
DC CHARACTERISTICS III - Low Power
(I
DD6
)
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=1.8V & 2.5V, V
SS
=0V)
DC CHARACTERISTICS III - Super Low Power
(I
DD6
)
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=1.8V & 2.5V, V
SS
=0V)
DC CHARACTERISTICS III - Standard part
(I
DD6
)
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=1.8V & 2.5V, V
SS
=0V)
Temp.
(
o
C)
Memory Array
Unit
4 Banks
2 Banks
1 Bank
85
70
-25~45
500
400
300
420
280
210
340
230
170
μ
A
μ
A
μ
A
Temp.
(
o
C)
Memory Array
Unit
4 Banks
2 Banks
1 Bank
85
450
330
250
350
230
180
300
190
150
μ
A
μ
A
μ
A
70
-25~45
Temp.
(
o
C)
Memory Array
Unit
4 Banks
2 Banks
1 Bank
85
320
250
180
220
180
130
190
150
110
μ
A
μ
A
μ
A
70
-25~45
Temp.
(
o
C)
Memory Array
Unit
4 Banks
-25~85
< 450
μ
A
* HY5W2A6CF / HY57W2A1620CT Series
* HY5W2A6CLF / HY57W2A1620CLT Series
* HY5W2A6CSF / HY57W2A1620CST Series
* HY5W26CF / HY57W281620CT Series
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57W2A1620HCST-H SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC
HY57W2A1620HCST-P x16 SDRAM
HY57W2A1620HCST-S SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC
HY5W26CF-P x16 SDRAM
HY5W26CF-S SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY5DS113222FM 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM-28 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM-33 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM-36 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
HY5DS113222FM-4 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM
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