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參數(shù)資料
| 型號： | HY57W2A1620HCST-B |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | x16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 16/24頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | HY57W2A1620HCST-B |
HY5W2A6C(L/S)F / HY57W2A1620HC(L/S)T
HY5W26CF / HY57W281620HCT
Rev. 1.2 / Nov. 01
17
CAPACITANCE
(TA=2.5 C, f=1MHz, HY5xxxxxxF Seires)
DC CHARACTERISTICS I
(TA= -25 to 85)
Note :
1. V
IN
= 0 to 2.5V. All other pins are not tested under V
IN
=0V.
2. D
OUT
is disabled. V
OUT
= 0 to 1.95V.
3. I
OUT
= - 0.1mA
4. I
OUT
= + 0.1mA
Parameter
Pin
Symbol
-H
-/P/S/B
Unit
Min
Max
Min
Max
Input capacitance
CLK
C
I1
C
I2
2.5
1.5
3.0
3.0
2.3
1.5
3.0
3.0
pF
pF
A0~A11, BA0, BA1, CKE, CS,
RAS, CAS, WE, UDQM, LDQM
Data input/output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
4.0
5.5
4.0
6.0
pF
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-1
-1
VDDQ - 0.2
-
1
1
-
0.2
μ
A
μ
A
V
V
1
2
3
4
Output Leakage Current I
LO
Output High Voltage
V
OH
Output Low Voltage
V
OL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57W2A1620HCST-H | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| HY57W2A1620HCST-P | x16 SDRAM |
| HY57W2A1620HCST-S | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| HY5W26CF-P | x16 SDRAM |
| HY5W26CF-S | SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DS113222FM | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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