參數(shù)資料
型號(hào)： HS1-65647RH
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： DRAM
英文描述： Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM
中文描述： 8K X 8 STANDARD SRAM, 50 ns, CDIP28
文件頁(yè)數(shù)： 12/16頁(yè)
文件大?。?/td> 110K
代理商： HS1-65647RH
835
HS-65647RH
Burn-In Circuits
HS-65647RH 28 LEAD FLATPACK AND CERAMIC DIP
DYNAMIC CONFIGURATION
NOTES:
1. VDD = 5.5V Min
2. R = 10k
±
10%, except R2 = 47k
±
10%
3. VIH: VDD
±
0.5V, VIL: 0.4V
±
0.4V
4. F0 = 100kHz
±
10%, 50% Duty Cycle
5. F1 = F0/2; F2 = F1/2; F3 = F2/2; . . . F14 = F13/2
6. F0 = inverted F0
HS-65647RH 28 LEAD FLATPACK AND CERAMIC DIP
STATIC CONFIGURATION
NOTES:
1. VDD = 5.5V Min
2. R = 10k
±
10%
HS-65647RH 36 LEAD FLATPACK
DYNAMIC CONFIGURATION
NOTES:
1. VDD = 5.5V Min
2. R = 10k
±
10%, except R2 = 4.7k
±
10%
3. VIH: VDD
±
0.5V, VIL: 0.4V
±
0.4V
4. F0 = 100kHz
±
10%, 50% Duty Cycle
5. F1 = F0/2; F2 = F1/2; F3 = F2/2; . . . F14 = F13/2
6. F0 = Inverted F0
HS-65647RH 36 LEAD FLATPACK
STATIC CONFIGURATION
NOTES:
1. VDD = 5.5V Min
2. R = 10k
±
10%
VDD
E2
A8
A9
A11
A10
DQ6
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
28
27
26
25
VDD
NC
G
W
E1
F13
F8
F7
F6
F5
F4
F3
F2
F1
F14
F14
F14
F0
F9
F10
F12
F0
F11
F14
F14
F14
F14
F14
R2
R2
R2
R2
R2
R2
R2
R2
VDD
E2
A8
A9
A11
A10
DQ6
DQ7
DQ5
DQ4
DQ3
2
3
4
5
6
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14
1
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
28
27
26
25
VDD
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
G
W
E1
VSS
NC
W
E2
A8
A11
E1
A10
DQ7
DQ6
DQ5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1
VSS
VDD
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
36
35
34
33
VDD
A9
VDD
G
15
16
17
18
DQ2
NC
VDD
VSS
DQ4
DQ3
VDD
VSS
22
21
20
19
NC
F13
F8
F7
F6
F5
F4
F3
F2
F1
F14
F14
F14
NC
R2
R2
R2
NC
F0
F9
F10
F12
F0
F11
F14
F14
F14
F14
F14
R2
R2
R2
R2
R2
VSS
NC
W
E2
A8
A11
E1
A10
DQ7
DQ6
DQ5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1
VSS
VDD
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
36
35
34
33
VDD
A9
VDD
G
15
16
17
18
DQ2
NC
VDD
VSS
DQ4
DQ3
VDD
VSS
22
21
20
19
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Spec Number
518729
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HS9-65647RH Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM
HS9A-65647RH-Q Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM
HS1-65647RH-Q Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM
HS9-65647RH-Q Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM
HS1-82C52RH-8 UART
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HS1-65647RH/PROTO 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM
HS1-65647RH-8 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM
HS1-65647RH-Q 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM
HS1-6564RH-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Synchronous SRAM Module
HS16-5N 功能描述:旋鈕開關(guān) 12 AMP 5P 2-11 POS RoHS:否 制造商:C&K Components 位置數(shù)量:5 卡片組數(shù)量: 每卡片組極數(shù):2 電流額定值:250 mA 電壓額定值:125 V 指數(shù)角: 觸點(diǎn)類型: 觸點(diǎn)形式:DPST 端接類型:Solder 安裝類型:Panel 觸點(diǎn)電鍍:Silver
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