參數(shù)資料
型號： HN7G04FU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： General-Purpose Amplifier Applications
中文描述： 通用放大器應用
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 446K
代理商： HN7G04FU
HN7G04FU
2007-11-01
3
Q1
相關PDF資料
PDF描述
HN7G05FU Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
HN7G06FU Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applications and Interface Circuit Applications
HN7G07FU Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applications and Interface Circuit Applications
HN7G08FE General-Purpose Amplifier Applications
HN7G09FE Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applications and Interface Circuit Applications
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HN7G04FU-A 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N 10K x 47Kohms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HN7G04FU-A(TE85L,F 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V 10K x 47Kohms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HN7G05FU 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
HN7G05FU(TE85L,F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds=20V Ic=-100ma Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HN7G06FE-A(TE85L,F 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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