參數(shù)資料
型號: HN7G02FU
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: TOSHIBA Multi Chip Discrete Device
中文描述: 東芝多芯片分立器件
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大?。?/td> 167K
代理商: HN7G02FU
HN7G02FU
2003-03-12
5
P
D
Ambient temperature Ta (°C)
P
D
– Ta
0
0
200
50
100
150
20
40
60
80
100
120
140
160
S
Drain current I
D
(mA)
t – I
D
D.U.
1%
VIN: tr, tf 5 ns
(Zout 50 )
Common source
Ta 25°C
1000
10
0.3
tf
100
1
3
10
30
100
toff
ton
tr
2.5 V
0
VIN
VDD 3 V
10 s
5
R
ID
VOUT
Drain current I
D
(mA)
V
DS (ON)
– I
D
D
V
D
0.5
Common source
VGS 2.5 V
Ta 25°C
5
3000
1
5
10
3
50
100
30
1000
300
500
100
30
50
10
Drain-source voltage V
DS
(V)
C – V
DS
C
100
0.3
0.1
Common source
VGS 0 V
f 1 MHz
Ta 25°C
Ciss
0.5
1
3
5
10
30
50
0.3
0.5
1
3
5
10
20
Coss
Crss
Drain current I
D
(mA)
Y
fs
– I
D
F
f
3
0.5
Common source
VDS 3 V
Ta 25°C
100
1
5
10
3
50
100
30
5
10
30
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HN7G03FU Power Management Switch Applications
HN7G04FU General-Purpose Amplifier Applications
HN7G05FU Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
HN7G06FU Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applications and Interface Circuit Applications
HN7G07FU Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applications and Interface Circuit Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HN7G02FU(TE85L,F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds=20V Ic=-100mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HN7G02FU_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Application, Inverter Circuit
HN7G03FU 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Applications
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HN7G04FU 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:General-Purpose Amplifier Applications