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參數(shù)資料
| 型號： | HMC259 |
| 廠商： | 美國訊泰微波有限公司上海代表處 |
| 英文描述： | GaAs MMIC SUB-HARMONICALLY PUMPED MIXER 28 - 40 GHz |
| 中文描述： | 砷化鎵微波單片集成電路二次諧波泵攪拌機(jī)28 - 40千兆赫 |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | HMC259 |
4 - 117
12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343
Fax: 978-250-3373
Web Site: www.hittite.com
MICROWAVE CORPORATION
F
EBRUARY
2001
new
4
M
I
D
Ball or wedge bond with 0.025 mm (1 mil) diameter pure gold wire. Thermosonic wirebonding with a nominal
stage temperature of 150 deg. C and a ball bonding force of 40 to 50 grams or wedge bonding force of 18 to
22 grams is recommended. Use the minimum level of ultrasonic energy to achieve reliable wirebonds.
Wirebonds should be started on the chip and terminated on the package or substrate. All bonds should be
as short as possible <0.31 mm (12 mils).
Handling Precautions
Wire Bonding
The chip is back-metallized and can be die mounted with AuSn eutectic preforms or with electrically
conductive epoxy. The mounting surface should be clean and flat.
Eutectic Die Attach:
A 80/20 gold tin preform is recommended with a work surface temperature of 255 deg. C and a tool tem-
perature of 265 deg. C. When hot 90/10 nitrogen/hydrogen gas is applied, tool tip temperature should be
290 deg. C.
DO NOT expose the chip to a temperature greater than 320 deg. C for more than 20 seconds. No more
than 3 seconds of scrubbing should be required for attachment.
Epoxy Die Attach:
Apply a minimum amount of epoxy to the mounting surface so that a thin epoxy fillet is observed around
the perimeter of the chip once it is placed into position.
Cure epoxy per the manufacturer's schedule.
Mounting
Follow these precautions to avoid permanent damage.
Cleanliness: Handle the chips in a clean environment. DO NOT attempt to clean the chip using liquid
cleaning systems.
Static Sensitivity: Follow ESD precautions to protect against > ± 250V ESD strikes (
see page 8 - 2
).
Transients: Suppress instrument and bias supply transients while bias is applied. Use shielded signal and
bias cables to minimize inductive pick-up.
General Handling: Handle the chip along the edges with a vacuum collet or with a sharp pair of bent twee-
zers. The surface of the chip has fragile air bridges and should not be touched with vacuum collet, twee-
zers, or fingers.
HMC259 SUB-HARMONICALLY PUMPED MIXER 28 - 40 GHz
HMC259
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PDF描述 |
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| HMC25DRAI | 功能描述:CONN EDGECARD 50POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:7 位置數(shù):14 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
| HMC25DRAI-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 50POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:10 位置數(shù):20 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
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