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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM62W8511HCLJP-10 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | BOX 5.0X1.85X1.0 W/CLP BLK |
| 中文描述： | 4分高速SRAM（512 - KWord的× 8位） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/13頁(yè) |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | HM62W8511HCLJP-10 |
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HM62W8511HI Series
5
DC Characteristics
(Ta = –40 to +85
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0V)
Parameter
Symbol Min
Typ*
1
Max
Unit
Test conditions
Input leakage current
II
LI
I
II
LO
I
—
—
2
μ
A
μ
A
Vin = V
SS
to V
CC
Vin = V
SS
to V
CC
Min cycle
CS
= V
, lout = 0 mA
Other inputs = V
IH
/V
IL
Min cycle
CS
= V
,
Other inputs = V
IH
/V
IL
f = 0 MHz
V
≥
CS
≥
V
CC
- 0.2 V,
(1) 0 V
≤
Vin
≤
0.2 V or
(2) V
CC
≥
Vin
≥
V
CC
- 0.2 V
I
OL
= 8 mA
I
OH
= –4 mA
Output leakage current
—
—
2
Operation power
supply current
15 ns cycle I
CC
—
—
130
mA
Standby power supply
current
15 ns cycle I
SB
—
—
50
mA
I
SB1
—
0.05
5
mA
Output voltage
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
2.4
—
—
V
Notes: 1. Typical values are at V
CC
= 3.3 V, Ta = +25
°
C and not guaranteed.
Capacitance
(Ta = +25
°
C, f = 1.0 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance*
1
Cin
—
—
6
pF
Vin = 0 V
Input/output capacitance*
1
Note: 1. This parameter is sampled and not 100% tested.
C
I/O
—
—
8
pF
V
I/O
= 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM62W8511HCLJP-12 | BOX 5.0X1.85X1.0 W/CLP GRY |
| HM62W8511H | 4M High Speed SRAM (512-kword ×8-bit)(4M高速靜態(tài)RAM(512k字 ×8位)) |
| HM62W8512BI | 4 M SRAM (512-kword×8-bit)(4 M 靜態(tài)RAM(512k字×8位)) |
| HM62W8512BLTT-7UL | Octal Buffer/Driver With Open-Collector Outputs 20-PDIP -40 to 85 |
| HM62W8512BLFP-5 | 4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM62W8512BLFP-5 | 制造商:HITACHI 功能描述: |
| HM62W8512BLTTI7 | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM-630 | 制造商:Black Box Corporation 功能描述:FACE PLATE:HM-STAINLESS |
| HM63021FP | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
| HM63021P-28 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Field/Frame/Line Memory |
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