- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370615 > HM5113165F (Hitachi,Ltd.) 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM5113165F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128M的內(nèi)存江戶（128M的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 5/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | HM5113165F |
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HM5113165F Series
5
Operation Table
RAS
LCAS
UCAS
WE
OE
I/O 0 to I/O 7
I/O 8 to I/O 15 Operation
H
×
×
×
×
High-Z
High-Z
Standby
L
L
H
H
L
Dout
High-Z
Read cycle
L
H
L
H
L
High-Z
Dout
L
L
L
H
L
Dout
Dout
L
L
H
L*
2
×
×
×
Din
×
Early write cycle
L
H
L
L*
2
×
Din
L
L
L
L*
2
Din
Din
L
L
H
L*
2
H
Din
×
Delayed write cycle
L
H
L
L*
2
H
×
Din
L
L
L
L*
2
H
Din
Din
L
L
H
H to L
L to H
Dout/Din
High-Z
Read-modify-write cycle
L
H
L
H to L
L to H
High-Z
Dout/Din
L
L
L
H to L
L to H
Dout/Din
Dout/Din
L
H
H
×
×
×
High-Z
High-Z
RAS
-only refresh cycle
CAS
-before-
RAS
refresh cycle or
Self refresh cycle (L-version)
H to L
L
L
H
High-Z
High-Z
L
Notes: 1. H: V
IH
(inactive) L: V
IL
(active)
×
: V
IH
or V
IL
2. t
WCS
≥
0 ns: Early write cycle
t
WCS
< 0 ns: Delayed write cycle
3.
UCAS
controls the upper pellet (I/O 8 to 15) only, and
LCAS
controls the lower pellet (I/O 0 to 7)
only. Therefore, mode, read/write and High-Z control are done independently by each
UCAS
,
LCAS
.
L
L
H
H
High-Z
High-Z
Read cycle (Output disabled)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-7 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5117805J-5 | 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113165FLTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113165FTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113165LTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113805F-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805FLTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
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