- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370615 > HM5113165F (Hitachi,Ltd.) 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM5113165F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128M的內(nèi)存江戶（128M的擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 11/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | HM5113165F |
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HM5113165F Series
11
Write Cycle
HM5113165F
-6
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Write command setup time
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
0
—
ns
14, 26
Write command hold time
10
—
ns
26
Write command pulse width
Write command to
RAS
lead time
Write command to
CAS
lead time
10
—
ns
15
—
ns
10
—
ns
26
Data-in setup time
0
—
ns
15, 26
Data-in hold time
10
—
ns
15, 26
Read-Modify-Write Cycle
HM5113165F
-6
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
OE
hold time from
WE
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
140
—
ns
79
—
ns
14
34
—
ns
14
49
—
ns
14
15
—
ns
Refresh Cycle
HM5113165F
-6
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle)
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
WE
setup time (CBR refresh cycle)
WE
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
t
CSR
t
CHR
t
WRP
t
WRH
t
RPC
5
—
ns
26
10
—
ns
26
0
—
ns
10
—
ns
5
—
ns
26
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-7 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5117805J-5 | 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113165FLTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113165FTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113165LTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113805F-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805FLTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
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