參數資料
型號: HM5112805FTD-6
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
中文描述: 128M的內存江戶(16 Mword × 8位)8K的refresh/4k刷新
文件頁數: 13/34頁
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代理商: HM5112805FTD-6
HM5112805F-6, HM5113805F-6
13
Write Cycle
HM5112805F/HM5113805F
-6
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Write command setup time
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
0
ns
14
Write command hold time
10
ns
Write command pulse width
Write command to
RAS
lead time
Write command to
CAS
lead time
10
ns
15
ns
10
ns
Data-in setup time
0
ns
15
Data-in hold time
10
ns
15
Read-Modify-Write Cycle
HM5112805F/HM5113805F
-6
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
OE
hold time from
WE
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
140
ns
79
ns
14
34
ns
14
49
ns
14
15
ns
Refresh Cycle
HM5112805F/HM5113805F
-6
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle)
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
WE
setup time (CBR refresh cycle)
WE
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
t
CSR
t
CHR
t
WRP
t
WRH
t
RPC
5
ns
10
ns
0
ns
10
ns
5
ns
相關PDF資料
PDF描述
HM5113805F-6 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5113805FLTD-6 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5113805FTD-6 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5112805F 128M EDO DRAM(128M 擴展數據輸出模式動態(tài)RAM)
HM5113805F 128 M EDO(Extended Data Output) DRAM(128M 擴展數據輸出模式動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數
參數描述
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HM5112805TD-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM
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