參數(shù)資料
型號： HM112
廠商： HSMC CORP.
英文描述： NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 瑞展晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： HM112
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HM112
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HM200102
Issued Date : 2001.07.30
Revised Date : 2002.10.08
Page No. : 1/5
HM112
HSMC Product Specification
Description
The HM112 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed
switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25
°
C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature................................................................... -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature.......................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (T
A
=25
°
C)................................................................................................................... 1.2 W
Total Power Dissipation
(Printed circuit board 2mm thick, collector plating 1cm
2
square or larger)....................................................... 1.6 W
Maximum Voltages and Currents
BV
CBO
Collector to Base Voltage ....................................................................................................................... 100 V
BV
CEO
Collector to Emitter Voltage.................................................................................................................... 100 V
BV
Emitter to Base Voltage.............................................................................................................................. 5 V
I
C
Collector Current (Continue).............................................................................................................................. 4 A
I
C
Collector Current (Peak) .................................................................................................................................... 6 A
Thermal Characteristic
Symbol
Characteristic
Max.
104
Unit
R
θ
ja
Thermal Resistance, junction to ambient (T
A
=25
o
C)
o
C/W
Electrical Characteristics
(T
A
=25
°
C)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
*V
CE(sat)
*V
BE(on)
*h
FE1
*h
FE2
Cob
Min.
100
100
-
-
-
-
-
1
500
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
1
2
2
2.5
2.8
-
-
200
Unit
V
V
mA
mA
mA
V
V
K
Test Conditions
I
C
=1mA
I
C
=30mA
V
CB
=100V
V
CE
=50V
V
EB
=5V
I
C
=2A, I
B
=8mA
I
C
=2A, V
CE
=4V
I
C
=1A, V
CE
=4V
I
C
=2A, V
CE
=4V
V
CB
=10V, f=0.1MHz
pF
*Pulse Test: Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
R2
R1
C
E
B
SOT-89
Darlington Schematic
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM117 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HM2222A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HM27 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HM28S NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HM2907A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HM11-21001 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Vertical Mount Inductors
HM11-21001LF 功能描述:VERTICAL MOUNT INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM11 標(biāo)準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
HM11-21302 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Vertical Mount Inductors
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HM11-21503 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Vertical Mount Inductors
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