參數(shù)資料
型號(hào)： HHY5W2A6CLF-B
英文描述： x16 SDRAM
中文描述： x16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 22/24頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： HHY5W2A6CLF-B
HY5W2A6C(L/S)F / HY57W2A1620HC(L/S)T
HY5W26CF / HY57W281620HCT
Rev. 1.2 / Nov. 01
23
Deep Power Down Mode (Continued)
Deep Power Down Mode Exit Sequence
The Deep Power Down mode is exited by asserting CKE high.
After the exit, the following sequence is needed to enter a new command.
1. Maintain NOP input conditions for a minimum of 200
μ
sec
2. Issue precharge commands for all banks of the device
3. Issue 8 or more auto refresh commands
4. Issue a mode register set command to initialize the mode register
5. Issue an extended mode register set command to initialize the extended mode register
The following timing diagram illustrates deep power down mode exit sequence.
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
Deep Power Down
exit
All banks
precharge
Auto
refresh
Auto
refresh
Mode
Register
Set
Extended
Mode
Register
Set
New
Command
Accepted
Here
200
μ
s
tRP
tRC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HHY5W2A6CSF-B x16 SDRAM
HY5W26CF-H SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC
HY6300 Converter IC
HY638256LP-25 x8 SRAM
HY6381002-25 x8 SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HI 7030 制造商:HANNA INSTRUMENTS 功能描述:COND SOLN
HI 70300 制造商:HANNA INSTRUMENTS 功能描述:STORAGE SOLUTION
HI 7033 制造商:HANNA INSTRUMENTS 功能描述:CONDUCTIVITY SOLUTION 84
HI 7061 制造商:HANNA INSTRUMENTS 功能描述:CLEANING SOLUTION
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