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參數(shù)資料
| 型號： | HHY5W2A6CLF-B |
| 英文描述： | x16 SDRAM |
| 中文描述： | x16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 18/24頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | HHY5W2A6CLF-B |
HY5W2A6C(L/S)F / HY57W2A1620HC(L/S)T
HY5W26CF / HY57W281620HCT
Rev. 1.2 / Nov. 01
19
DC CHARACTERISTICS III - Normal
(I
DD6
)
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=1.8V & 2.5V, V
SS
=0V)
DC CHARACTERISTICS III - Low Power
(I
DD6
)
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=1.8V & 2.5V, V
SS
=0V)
DC CHARACTERISTICS III - Super Low Power
(I
DD6
)
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=1.8V & 2.5V, V
SS
=0V)
DC CHARACTERISTICS III - Standard part
(I
DD6
)
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=1.8V & 2.5V, V
SS
=0V)
Temp.
(
o
C)
Memory Array
Unit
4 Banks
2 Banks
1 Bank
85
70
-25~45
500
400
300
420
280
210
340
230
170
μ
A
μ
A
μ
A
Temp.
(
o
C)
Memory Array
Unit
4 Banks
2 Banks
1 Bank
85
450
330
250
350
230
180
300
190
150
μ
A
μ
A
μ
A
70
-25~45
Temp.
(
o
C)
Memory Array
Unit
4 Banks
2 Banks
1 Bank
85
320
250
180
220
180
130
190
150
110
μ
A
μ
A
μ
A
70
-25~45
Temp.
(
o
C)
Memory Array
Unit
4 Banks
-25~85
< 450
μ
A
* HY5W2A6CF / HY57W2A1620CT Series
* HY5W2A6CLF / HY57W2A1620CLT Series
* HY5W2A6CSF / HY57W2A1620CST Series
* HY5W26CF / HY57W281620CT Series
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HHY5W2A6CSF-B | x16 SDRAM |
| HY5W26CF-H | SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| HY6300 | Converter IC |
| HY638256LP-25 | x8 SRAM |
| HY6381002-25 | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HI 11-P1/P3 | 制造商:EATON MOELLER 功能描述:AUXILIARY CONTACT BLOCK 1NO/1NC 制造商:Moeller Electric Corporation 功能描述:AUXILIARY CONTACT BLOCK, 1NO/1NC |
| HI 7030 | 制造商:HANNA INSTRUMENTS 功能描述:COND SOLN |
| HI 70300 | 制造商:HANNA INSTRUMENTS 功能描述:STORAGE SOLUTION |
| HI 7033 | 制造商:HANNA INSTRUMENTS 功能描述:CONDUCTIVITY SOLUTION 84 |
| HI 7061 | 制造商:HANNA INSTRUMENTS 功能描述:CLEANING SOLUTION |
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