參數(shù)資料
型號： HGTP20N36G3VL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
中文描述： 37.7 A, 355 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： HGTP20N36G3VL
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP20N36G3VL, HGT1S20N36G3VL, HGT1S20N36G3VLS Rev. C1
Specifications HGTP20N36G3VL, HGT1S20N36G3VL, HGT1S20N36G3VLS
Test Circuits
FIGURE 16. USE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
R
G
G
C
E
V
DD
2.3mH
DUT
R
GEN
= 25
5V
R
GEN
= 50
+
-
V
CC
300V
DUT
C
G
E
R
GE
= 50
1/R
G
= 1/R
GEN
+ 1/R
GE
L = 550
μ
H
R
L
10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGT5A40N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTD10N40F1S 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N50F1S 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD10N40F1 10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HGTP20N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 TO-220 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP20N60B3R4035 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP20N60C3 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTP20N60C3R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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