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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HCD404669 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Low-Voltage AS Microcomputers with On-Chip DTMF Generation Circuit(帶雙音多頻電路的低電壓微計(jì)算機(jī)) |
| 中文描述： | 低電壓如同在微機(jī)芯片的DTMF產(chǎn)生電路（帶雙音多頻電路的低電壓微計(jì)算機(jī)） |
| 文件頁數(shù)： | 103/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 894K |
| 代理商： | HCD404669 |
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HD404669 Series
103
3. Two levels of program voltages (V
PP
) are available for the PROM: 12.5 V and 21 V. Our product
employs a V
PP
of 12.5 V. If a voltage of 21 V is applied, permanent breakdown of the product will
result. The V
PP
of 12.5 V is obtained for the PROM writer by setting it according to the Intel 27256
specifications.
Writing/verification
Programming of the built-in program ROM employs a high speed programming method. With this method,
high speed writing is effected without voltage stress to the device or without damaging the reliability of the
written data.
A basic programming flow chart is shown in figure81 and a timing chart in figure82.
For precautions for PROM writing procedure, refer to "ZTAT
TM
Microcomputer On-chip Programmable
ROM Characteristics and Usage Notes."
Table 23 Selection of Mode
Pins
CE
Mode
OE
V
PP
O
0
–O
4
Writing
“Low”
“High”
V
PP
Data input
Verification
“High”
“Low”
V
PP
Data output
Prohibition of programming
“High”
“High”
V
PP
High impedance
Table 24 PROM Writer Program Address
ROM size
Address
8k
$0000~$3FFF
12k
$0000~$5FFF
16k
$0000~$7FFF
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PDF描述 |
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