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參數(shù)資料
| 型號： | HBC558 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | HBC558 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HBC558
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HA200104
Issued Date : 2001.10.01
Revised Date : 2001.10.23
Page No. : 1/3
HBC558
HSMC Product Specification
Description
The HBC558 is designed for switching and AF amplifier amplification
suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits.
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................... -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature.................................................................................................... +150
°
C
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C) ............................................................................... 500 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
VCBO Collector to Base Voltage........................................................................................ -30 V
VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... -30 V
VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................ -5 V
IC Collector Current....................................................................................................... -100 mA
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
VBE(on)1
VBE(on)2
*hFE
fT
Cob
Min.
-30
-30
-5
-
-
-
-
-
-600
-
110
-
-
Typ.
-
-
-
-
-90
-250
-700
-900
-
-
-
150
-
Max.
-
-
-
-15
-300
-650
-
-
-750
-800
800
-
6
Unit
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
Test Conditions
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-30V
IC=-10mA, IB=-0.5mA
IC=-100mA, IB=-5mA
IC=-10mA, IB=-0.5mA
IC=-100mA, IB=-5mA
VCE=-5V, IB=-2mA
VCE=-5V, IB=-10mA
VCE=-5V, IC=-2mA
VCE=-5V, IC=-10mA
VCB=-10V, f=1MHz
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
Classification Of hFE
Rank
hFE
A
B
C
110-220
200-450
420-800
TO-92
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBC807 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HBC817 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HBC846 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HBC847 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HBC848 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HBC5765 | 功能描述:RF 連接器 BNC HI-DEF PLUG FOR COMSCOPE 5765 RoHS:否 制造商:Bomar Interconnect 產(chǎn)品:Connectors 射頻系列:BNC 型式:Jack (Female) 極性: 觸點電鍍:Gold 阻抗: 端接類型:Solder 主體類型:Straight Bulkhead 電纜類型: |
| HBC-60 | 功能描述:保險絲 BUSS ONE TIME FUSE RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485 |
| HBC60DETS | 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:FML CRD EDGE .100 120POS DR LOW |
| HBC60DEYI | 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:FML CRD EDGE .100 120POS DR LOW |
| HBC60DRAH | 功能描述:CONN EDGECARD 120PS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:60 位置數(shù):120 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點:側(cè)面安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
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