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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB56SW3272ESK |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| 中文描述： | 256MB的內(nèi)存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位，4K的刷新，2銀模塊（36個(gè)在16米x 4部分） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HB56SW3272ESK |
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HB56SW3272ESK-5/6
8
DC Characteristics
50 ns
60 ns
Parameter
Operating current*
1
, *
2
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Test conditions
I
CC1
I
CC2
—
2440
—
2080
mA
t
RC
= min
TTL interface
RAS
,
CAS
= V
IH
Dout = High-Z
Standby current
—
82
—
82
mA
—
28
—
28
mA
CMOS interface
RAS
,
CAS
≥
V
CC
– 0.2 V
Dout = High-Z
RAS
-only refresh current*
2
I
CC3
I
CC5
—
2440
—
2080
mA
t
RC
= min
RAS
= V
,
CAS
= V
IL
Dout = enable
Standby current*
1
—
190
—
190
mA
CAS
-before-
RAS
refresh
current
I
CC6
—
2440
—
2080
mA
t
RC
= min
EDO page mode current*
1,
*
3
I
CC7
—
2080
—
1900
mA
RAS
= V
IL
,
CAS
cycle,
t
HPC
= t
HPC
min
0 V
≤
Vin
≤
V
CC
+ 0.3 V
0 V
≤
Vout
≤
V
CC
Dout = disable
Input leakage current
I
LI
I
LO
–10
10
–10
10
μ
A
μ
A
Output leakage current
–10
10
–10
10
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
V
CC
0.4
2.4
V
CC
0.4
V
High Iout = –2 mA
Output low voltage
Notes : 1. I
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
max is specified at the
output open condition.
2. Address can be changed once or less while
RAS
= V
IL
.
3. Measured with one sequential address change per EDO cycle, t
HPC
.
0
0
V
Low Iout = 2 mA
Capacitance
(Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V)
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
Input capacitance (
CAS
,
WE
,
OE
)
Input capacitance (
RAS
)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I/O
—
20
pF
1
—
20
pF
1
—
78
pF
1
I/O capacitance (DQ)
Notes : 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2.
CAS
= V
IH
to disable Dout.
—
27
pF
1, 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56UW1673E | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-5402 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-5 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW3272ESK-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW464DB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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